RQ3E180AJTB

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
RQ3E180AJTB P1
RQ3E180AJTB P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Rohm Semiconductor ~ RQ3E180AJTB

Một phần số
RQ3E180AJTB
nhà chế tạo
Rohm Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
RQ3E180AJTB.pdf RQ3E180AJTB PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số RQ3E180AJTB
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 30A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 11mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V
Vgs (Tối đa) ±12V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 2W (Ta), 30W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Nhiệt độ hoạt động 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-HSMT (3.2x3)
Gói / Trường hợp 8-PowerVDFN

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm