Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | RQ3E130BNTB |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 30V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 15V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 2W (Ta) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 13A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 8-HSMT (3.2x3) |
| Gói / Trường hợp | 8-PowerVDFN |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 | - | 3000 | Chi tiết |
 |
RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE | - | 0 | Chi tiết |
 |
RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT | - | 0 | Chi tiết |
 |
RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT | - | 0 | Chi tiết |
 |
RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 3000 | Chi tiết |
 |
RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 | - | 3000 | Chi tiết |
 |
RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | 0 | Chi tiết | |
 |
RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT | - | 3000 | Chi tiết |
 |
RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 0 | Chi tiết | |
 |
RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 6000 | Chi tiết |