RQ3E180AJTB

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
RQ3E180AJTB P1
RQ3E180AJTB P1
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Rohm Semiconductor ~ RQ3E180AJTB

Numéro d'article
RQ3E180AJTB
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article RQ3E180AJTB
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 30A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 11mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-HSMT (3.2x3)
Paquet / cas 8-PowerVDFN

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