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Número de pieza | RQ3E180AJTB |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) |
Paquete / caja | 8-PowerVDFN |