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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RQ3E180AJTB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-HSMT (3.2x3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 | - | 3000 | Einzelheiten |
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RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE | - | 0 | Einzelheiten |
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RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 | - | 0 | Einzelheiten |
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RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT | - | 0 | Einzelheiten |
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RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 0 | Einzelheiten |
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RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT | - | 0 | Einzelheiten |
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RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 3000 | Einzelheiten |
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RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 | - | 3000 | Einzelheiten |
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RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | 0 | Einzelheiten | |
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RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT | - | 3000 | Einzelheiten |
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RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 0 | Einzelheiten | |
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RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 6000 | Einzelheiten |