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| Numéro d'article | RQ3E075ATTB |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-HSMT (3.2x3) |
| Paquet / cas | 8-PowerVDFN |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 | - | 3000 | Détails |
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