LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
LND01K1-G P1
LND01K1-G P1
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Microchip Technology ~ LND01K1-G

Numéro d'article
LND01K1-G
Fabricant
Microchip Technology
La description
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article LND01K1-G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 9V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 330mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 5V
Vgs (Max) +0.6V, -12V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Température de fonctionnement -25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23-5
Paquet / cas SC-74A, SOT-753

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