LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
LND01K1-G P1
LND01K1-G P1
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Microchip Technology ~ LND01K1-G

品番
LND01K1-G
メーカー
Microchip Technology
説明
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 LND01K1-G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 9V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 330mA (Tj)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 0V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 46pF @ 5V
Vgs(最大) +0.6V, -12V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 360mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
動作温度 -25°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-5
パッケージ/ケース SC-74A, SOT-753

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