LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
LND01K1-G P1
LND01K1-G P1
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Microchip Technology ~ LND01K1-G

Artikelnummer
LND01K1-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer LND01K1-G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 9V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 330mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 5V
Vgs (Max) +0.6V, -12V
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Verlustleistung (Max) 360mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Betriebstemperatur -25°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-5
Paket / Fall SC-74A, SOT-753

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