LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
LND01K1-G P1
LND01K1-G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microchip Technology ~ LND01K1-G

номер части
LND01K1-G
производитель
Microchip Technology
Описание
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- LND01K1-G PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части LND01K1-G
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 9V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 330mA (Tj)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 46pF @ 5V
Vgs (Макс.) +0.6V, -12V
Функция FET Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Рабочая Температура -25°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23-5
Упаковка / чехол SC-74A, SOT-753

сопутствующие товары

Все продукты