LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
LND01K1-G P1
LND01K1-G P1
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Microchip Technology ~ LND01K1-G

부품 번호
LND01K1-G
제조사
Microchip Technology
기술
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 LND01K1-G
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 9V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 330mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V
Vgs (th) (최대) @ Id -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 46pF @ 5V
Vgs (최대) +0.6V, -12V
FET 기능 Depletion Mode
전력 발산 (최대) 360mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
작동 온도 -25°C ~ 125°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 SOT-23-5
패키지 / 케이스 SC-74A, SOT-753

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