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| Numéro d'article | APT11GP60BDQBG |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | PT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 41A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| Puissance - Max | 187W |
| Échange d'énergie | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 40nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 7ns/29ns |
| Condition de test | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT11F80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | - | 0 | Détails |
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APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | - | 0 | Détails |
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APT11GF120KRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | 0 | Détails | |
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APT11GP60BDQBG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 41A 187W TO247 | - | 23778 | Détails |
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APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | - | 91 | Détails |
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APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | - | 0 | Détails |