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| Numero di parte | APT11GP60BDQBG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 41A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| Potenza - Max | 187W |
| Cambiare energia | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 40nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 7ns/29ns |
| Condizione di test | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT11F80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | - | 0 | Dettagli |
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APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | - | 0 | Dettagli |
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APT11GF120BRDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 0 | Dettagli | |
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APT11GF120KRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | 0 | Dettagli | |
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APT11GP60BDQBG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 41A 187W TO247 | - | 23778 | Dettagli |
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APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | - | 91 | Dettagli |
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APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | - | 0 | Dettagli |