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| 品番 | APT11GP60BDQBG |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| IGBTタイプ | PT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 41A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 45A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| 電力 - 最大 | 187W |
| スイッチングエネルギー | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 40nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 7ns/29ns |
| テスト条件 | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT11F80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | - | 0 | 詳細 |
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APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | - | 0 | 詳細 |
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APT11GF120BRDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 0 | 詳細 | |
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APT11GF120KRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | 0 | 詳細 | |
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APT11GP60BDQBG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 41A 187W TO247 | - | 23778 | 詳細 |
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APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | - | 91 | 詳細 |
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APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | - | 0 | 詳細 |