| номер части | APT11GP60BDQBG |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип IGBT | PT |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 41A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 45A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| Мощность - макс. | 187W |
| Энергия переключения | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 40nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 7ns/29ns |
| Условия тестирования | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT11F80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | - | 0 | подробности |
 |
APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | - | 0 | подробности |
 |
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 0 | подробности | |
 |
APT11GF120KRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | 0 | подробности | |
 |
APT11GP60BDQBG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 41A 187W TO247 | - | 23778 | подробности |
 |
APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | - | 91 | подробности |
 |
APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | - | 0 | подробности |
