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| Numéro d'article | RGF1D-E3/5CA |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | 8.5pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-214BA |
| Package de périphérique fournisseur | DO-214BA (GF1) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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RGF1A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 1A SMA | - | 15000 | Détails |
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RGF1A-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Détails |
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RGF1AHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Détails |
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RGF1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 15000 | Détails |
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RGF1B-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | Détails |
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RGF1BHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | Détails |
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RGF1D | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 45000 | Détails |
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RGF1D-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 200V 150NS DO-214BA | - | 0 | Détails |
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RGF1D-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA | - | 0 | Détails |
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RGF1DHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA | - | 0 | Détails |
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RGF1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 7500 | Détails |
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RGF1G-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA | - | 4500 | Détails |