| номер части | RGF1D-E3/5CA |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.3V @ 1A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 150ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 200V |
| Емкость @ Vr, F | 8.5pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214BA |
| Пакет устройств поставщика | DO-214BA (GF1) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGF1A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 1A SMA | - | 15000 | подробности |
 |
RGF1A-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
RGF1AHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
RGF1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 15000 | подробности |
 |
RGF1B-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
RGF1BHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
RGF1D | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 45000 | подробности |
|
RGF1D-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 200V 150NS DO-214BA | - | 0 | подробности |
 |
RGF1D-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
RGF1DHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA | - | 0 | подробности |
 |
RGF1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 7500 | подробности |
 |
RGF1G-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA | - | 4500 | подробности |
