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| Número de pieza | RGF1D-E3/5CA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 150ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 8.5pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-214BA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-214BA (GF1) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RGF1A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 1A SMA | - | 15000 | Detalles |
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RGF1A-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Detalles |
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RGF1AHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Detalles |
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RGF1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 15000 | Detalles |
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RGF1B-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | Detalles |
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RGF1BHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | Detalles |
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RGF1D | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 45000 | Detalles |
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RGF1D-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 200V 150NS DO-214BA | - | 0 | Detalles |
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RGF1D-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA | - | 0 | Detalles |
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RGF1DHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA | - | 0 | Detalles |
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RGF1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 7500 | Detalles |
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RGF1G-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA | - | 4500 | Detalles |