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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ RGF1AHE3/67A

Número de pieza	RGF1AHE3/67A
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Corriente - promedio rectificado (Io)	1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.3V @ 1A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	150ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F	8.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214BA
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamiento - unión	-65°C ~ 175°C

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
RGF1A	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA	-	15000	Detalles
RGF1A-E3/67A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA	-	0	Detalles
RGF1AHE3/67A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA	-	0	Detalles
RGF1B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	-	15000	Detalles
RGF1B-E3/67A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA	-	0	Detalles
RGF1BHE3/67A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA	-	0	Detalles
RGF1D	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC	-	45000	Detalles
RGF1D-E3/5CA	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SW 1A 200V 150NS DO-214BA	-	0	Detalles
RGF1D-E3/67A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA	-	0	Detalles
RGF1DHE3/67A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA	-	0	Detalles
RGF1G	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	-	7500	Detalles
RGF1G-E3/67A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA	-	4500	Detalles