RGF1AHE3/67A

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
RGF1AHE3/67A P1
RGF1AHE3/67A P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ RGF1AHE3/67A

Numero di parte
RGF1AHE3/67A
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte RGF1AHE3/67A
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F 8.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-214BA
Pacchetto dispositivo fornitore DO-214BA (GF1)
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C

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