STG3P2M10N60B

IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
STG3P2M10N60B P1
STG3P2M10N60B P1
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STMicroelectronics ~ STG3P2M10N60B

Numéro d'article
STG3P2M10N60B
Fabricant
STMicroelectronics
La description
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- STG3P2M10N60B PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article STG3P2M10N60B
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 19A
Puissance - Max 56W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 0.72nF @ 25V
Contribution Single Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SEMITOP®2
Package de périphérique fournisseur SEMITOP®2

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