STG3P2M10N60B

IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
STG3P2M10N60B P1
STG3P2M10N60B P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

STMicroelectronics ~ STG3P2M10N60B

номер части
STG3P2M10N60B
производитель
STMicroelectronics
Описание
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- STG3P2M10N60B PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части STG3P2M10N60B
Статус детали Obsolete
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 19A
Мощность - макс. 56W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 10µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 0.72nF @ 25V
вход Single Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SEMITOP®2
Пакет устройств поставщика SEMITOP®2

сопутствующие товары

Все продукты