STG3P2M10N60B

IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
STG3P2M10N60B P1
STG3P2M10N60B P1
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STMicroelectronics ~ STG3P2M10N60B

Número de pieza
STG3P2M10N60B
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- STG3P2M10N60B PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza STG3P2M10N60B
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT -
Configuración Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 19A
Potencia - Max 56W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A
Corriente - corte de colector (máximo) 10µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 0.72nF @ 25V
Entrada Single Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SEMITOP®2
Paquete de dispositivo del proveedor SEMITOP®2

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