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| Numéro d'article | BSM600C12P3G201 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 600A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2460W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Paquet / cas | Module |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BSM600C12P3G201 | Rohm Semiconductor | BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD | - | 58 | Détails |