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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSM600C12P3G201 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 600A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2460W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Paket / Fall | Module |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSM600C12P3G201 | Rohm Semiconductor | BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD | - | 58 | Einzelheiten |