画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Rohm Semiconductor ~ BSM600C12P3G201

品番	BSM600C12P3G201
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	600A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On（Max）@ Id、Vgs	-
Vgs（th）（Max）@ Id	5.6V @ 182mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
Vgs（最大）	+22V, -4V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	28000pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	2460W (Tc)
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ	Module
パッケージ/ケース	Module

BSM600C12P3G201