APTC90H12SCTG

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
APTC90H12SCTG P1
APTC90H12SCTG P1
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Microsemi Corporation ~ APTC90H12SCTG

Numéro d'article
APTC90H12SCTG
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article APTC90H12SCTG
État de la pièce Active
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Super Junction
Drain à la tension de source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V
Puissance - Max 250W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP4
Package de périphérique fournisseur SP4

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