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| 品番 | APTC90H12SCTG |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET機能 | Super Junction |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 900V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 3mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 270nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6800pF @ 100V |
| 電力 - 最大 | 250W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SP4 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP4 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APTC90AM602G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | - | 0 | 詳細 |
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APTC90AM60SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | - | 0 | 詳細 |
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APTC90AM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | - | 0 | 詳細 |
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APTC90DAM60CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | - | 0 | 詳細 |
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APTC90DAM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | - | 0 | 詳細 |
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APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | 0 | 詳細 | |
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APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | 0 | 詳細 | |
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APTC90H12SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | - | 0 | 詳細 |
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APTC90H12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | - | 0 | 詳細 |
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APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | 0 | 詳細 | |
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APTC90HM60T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 | - | 0 | 詳細 |
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APTC90SKM60CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | - | 0 | 詳細 |