APTC90HM60T3G

MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
APTC90HM60T3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTC90HM60T3G

Numéro d'article
APTC90HM60T3G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTC90HM60T3G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article APTC90HM60T3G
État de la pièce Active
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Super Junction
Drain à la tension de source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 59A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V
Puissance - Max 462W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3

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