APTC80H29T3G

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
APTC80H29T3G P1
APTC80H29T3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTC80H29T3G

Numéro d'article
APTC80H29T3G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTC80H29T3G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article APTC80H29T3G
État de la pièce Active
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V
Puissance - Max 156W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3

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