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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APTC80H29T3G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
| Leistung max | 156W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APTC60AM18SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | - | 10 | Einzelheiten |
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APTC60AM242G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 | - | 12 | Einzelheiten |
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APTC60AM24SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 | - | 0 | Einzelheiten |
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APTC60AM24T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 | - | 0 | Einzelheiten |
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APTC60AM35SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | - | 0 | Einzelheiten |
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APTC60AM35T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 | - | 0 | Einzelheiten |
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APTC60AM42F2G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 | - | 0 | Einzelheiten |
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APTC60AM45B1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | - | 5 | Einzelheiten |
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APTC60AM45BC1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | - | 10 | Einzelheiten |
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APTC60AM45T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | - | 1626 | Einzelheiten |
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APTC60AM70T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | 0 | Einzelheiten | |
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APTC60AM83B1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | - | 0 | Einzelheiten |