APTC80H29T3G

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
APTC80H29T3G P1
APTC80H29T3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTC80H29T3G

Número de pieza
APTC80H29T3G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- APTC80H29T3G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza APTC80H29T3G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V
Potencia - Max 156W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP3
Paquete de dispositivo del proveedor SP3

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