APT75GN60LDQ3G

IGBT 600V 155A 536W TO264
APT75GN60LDQ3G P1
APT75GN60LDQ3G P2
APT75GN60LDQ3G P1
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Microsemi Corporation ~ APT75GN60LDQ3G

Numéro d'article
APT75GN60LDQ3G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 600V 155A 536W TO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT75GN60LDQ3G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article APT75GN60LDQ3G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 155A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A
Puissance - Max 536W
Échange d'énergie 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 485nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 47ns/385ns
Condition de test 400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA
Package de périphérique fournisseur TO-264 [L]

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