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| Numéro d'article | APT75GN120JDQ3G |
|---|---|
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 124A |
| Puissance - Max | 379W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 200µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 4.8nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | 0 | Détails | |
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APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | - | 0 | Détails |
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APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | - | 2948 | Détails |
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APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | - | 0 | Détails |
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APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | - | 20 | Détails |
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APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | - | 25 | Détails |
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APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | - | 0 | Détails |
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APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | 0 | Détails | |
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APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 66 | Détails |
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APT75GN120JDQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 0 | Détails |