| номер части | APT75GN60LDQ3G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | Trench Field Stop |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 155A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 225A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Мощность - макс. | 536W |
| Энергия переключения | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 485nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 47ns/385ns |
| Условия тестирования | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-264-3, TO-264AA |
| Пакет устройств поставщика | TO-264 [L] |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | 0 | подробности | |
 |
APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | - | 2948 | подробности |
 |
APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | - | 20 | подробности |
 |
APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | - | 25 | подробности |
 |
APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | - | 0 | подробности |
 |
APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | 0 | подробности | |
 |
APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 66 | подробности |
 |
APT75GN120JDQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 0 | подробности |
