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| Numéro d'article | APT70GR120B2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 280A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Puissance - Max | 961W |
| Échange d'énergie | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 544nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 33ns/278ns |
| Condition de test | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | Détails |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | Détails |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | Détails |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | Détails |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | Détails |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Détails |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Détails |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Détails |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Détails |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Détails |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Détails |