APT70GR65B2DU40

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT70GR65B2DU40 P1
APT70GR65B2DU40 P1
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Microsemi Corporation ~ APT70GR65B2DU40

Numéro d'article
APT70GR65B2DU40
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT70GR65B2DU40 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article APT70GR65B2DU40
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 134A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Puissance - Max 595W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 305nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/170ns
Condition de test 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur T-MAX™ [B2]

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