APT25GP120BG

IGBT 1200V 69A 417W TO247
APT25GP120BG P1
APT25GP120BG P2
APT25GP120BG P1
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Microsemi Corporation ~ APT25GP120BG

Numéro d'article
APT25GP120BG
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT25GP120BG PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article APT25GP120BG
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 69A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A
Puissance - Max 417W
Échange d'énergie 500µJ (on), 438µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 110nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 12ns/70ns
Condition de test 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247 [B]

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