APT200GT60JR

IGBT 600V 195A ISOTOP
APT200GT60JR P1
APT200GT60JR P1
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Microsemi Corporation ~ APT200GT60JR

Numéro d'article
APT200GT60JR
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 600V 195A ISOTOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT200GT60JR PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APT200GT60JR
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 195A
Puissance - Max 500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 25µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 8.65nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227

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