APT200GN60JDQ4G

IGBT 600V 283A 682W SOT227
APT200GN60JDQ4G P1
APT200GN60JDQ4G P1
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Microsemi Corporation ~ APT200GN60JDQ4G

Numéro d'article
APT200GN60JDQ4G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 600V 283A 682W SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT200GN60JDQ4G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APT200GN60JDQ4G
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 283A
Puissance - Max 682W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 14.1nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas ISOTOP
Package de périphérique fournisseur ISOTOP®

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