LSIC1MO120E0160

SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
LSIC1MO120E0160 P1
LSIC1MO120E0160 P1
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Littelfuse Inc. ~ LSIC1MO120E0160

Numéro d'article
LSIC1MO120E0160
Fabricant
Littelfuse Inc.
La description
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article LSIC1MO120E0160
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 20V
Vgs (Max) +22V, -6V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 800V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247-3
Paquet / cas TO-247-3

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