LSIC1MO120E0160

SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
LSIC1MO120E0160 P1
LSIC1MO120E0160 P1
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Littelfuse Inc. ~ LSIC1MO120E0160

부품 번호
LSIC1MO120E0160
제조사
Littelfuse Inc.
기술
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- LSIC1MO120E0160 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 LSIC1MO120E0160
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 57nC @ 20V
Vgs (최대) +22V, -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 870pF @ 800V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-247-3
패키지 / 케이스 TO-247-3

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