Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | LSIC1MO120E0160 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1200V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 22A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 10A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 20V |
Vgs (Maks.) | +22V, -6V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 800V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 125W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Through Hole |
Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-247-3 |
Paket / Durum | TO-247-3 |