1N8028-GA

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
1N8028-GA P1
1N8028-GA P1
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GeneSiC Semiconductor ~ 1N8028-GA

Numéro d'article
1N8028-GA
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article 1N8028-GA
État de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 9.4A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.6V @ 10A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 20µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F 884pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-257-3
Package de périphérique fournisseur TO-257
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 250°C

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