1N8033-GA

DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
1N8033-GA P1
1N8033-GA P1
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GeneSiC Semiconductor ~ 1N8033-GA

Numéro d'article
1N8033-GA
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article 1N8033-GA
État de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Courant - Rectifié moyen (Io) 4.3A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.65V @ 5A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 274pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-276AA
Package de périphérique fournisseur TO-276
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 250°C

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