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| Número de pieza | 1N8028-GA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 9.4A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 10A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 884pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-257-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-257 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 250°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | 9 | Detalles | |
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1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | 1 | Detalles | |
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1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | 0 | Detalles | |
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1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | 9 | Detalles | |
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1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 0 | Detalles | |
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1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | 4 | Detalles | |
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1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | 0 | Detalles | |
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1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | 0 | Detalles | |
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1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | 2 | Detalles | |
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1N8147 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | Detalles |
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1N8147US | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3002 | Detalles |
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1N8148 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | Detalles |