DMN3730UFB4-7B

MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006
DMN3730UFB4-7B P1
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Diodes Incorporated ~ DMN3730UFB4-7B

Numéro d'article
DMN3730UFB4-7B
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN3730UFB4-7B PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article DMN3730UFB4-7B
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 750mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 64.3pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 470mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur X2-DFN1006-3
Paquet / cas 3-XFDFN

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