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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMN3730UFB4-7B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 750mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 460 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 64.3pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 470mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | X2-DFN1006-3 |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 | - | 6000 | Einzelheiten |
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DMN3730UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | - | 3024000 | Einzelheiten |
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DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN3730UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006 | - | 1009041 | Einzelheiten |