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| 부품 번호 | DMN3730UFB4-7B |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 750mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 460 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 64.3pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 470mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | X2-DFN1006-3 |
| 패키지 / 케이스 | 3-XFDFN |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 | - | 6000 | 세부 |
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DMN3730UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | - | 3024000 | 세부 |
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DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | - | 0 | 세부 |
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DMN3730UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006 | - | 1009041 | 세부 |