RFN10NS6STL

DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
RFN10NS6STL P1
RFN10NS6STL P1
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Rohm Semiconductor ~ RFN10NS6STL

Artikelnummer
RFN10NS6STL
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer RFN10NS6STL
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 10A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket LPDS
Betriebstemperatur - Kreuzung 150°C (Max)

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